logo
home-page
Технологические установки (PVD, ALD)

Установка лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии DXLMBE-450

Установка лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE) DXLMBE-450

DexinMag-logo
PVD-DXLMBE-450

Применение:

Установка лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE) DXLMBE-450 предназначена для создания тонких пленок: оптических кристаллов, сегнетоэлектриков, ферромагнетиков, сверхпроводников и органических соединений. Она особенно полезна для создания сложных слоистых сверхрешеточных тонких пленок с высокой температурой плавления, многоэлементных и содержащих газообразные элементы. Данная установка нашла широкое применение для научных исследований тонкопленочных материалов и производства небольших партий в университетах и научно-исследовательских институтах.


Основные узлы установки: вакуумные камеры (камера эпитаксии и загрузки образцов), устройство для подачи, подставка для образцов, вращающаяся платформа, вакуумный выхлоп, вакуумметрия, система управления электрооборудованием, компьютерное управление.

Технические характеристики
Модель DXLMBE-450
Основная вакуумная камера Сферическая, Ø450мм
Камера загрузки образцов Цилиндрическая, горизонтальная, Ø150*300мм
Вакуумная система Основная вакуумная камера Механический форвакуумный, турбормолекулярный, ионный и геттерный насосы, клапан
Камера загрузки образцов Механический форвакуумный и турбормолекулярный насосы, клапан
Предельное остаточное давление Основная вакуумная камера ≤5*10-8 Па (после прогрева и обезгаживания)
Камера загрузки образцов ≤5*10-3 Па (после прогрева и обезгаживания)
Время повторной откачки Основная вакуумная камера 5*10-3 Па за 20мин
Камера загрузки образцов 5*10-3 Па за 20мин
Вращающаяся платформа Макс. размер мишени: Ø70 мм, до 4 шт. единовременно, каждая может вращаться, направление вращения можно менять. Скорость вращения: 5-60 об/мин.
Нагревательная пластина подложки Размер образца Ø51мм
Режим вращения Подложка может непрерывно вращаться со скоростью 5-60 об/мин
Нагрев Макс. температура нагрева подложки: 800°C ± 1°C
Воздушный контур Регулятор расхода, цельнометаллический угловой клапан
Опции Дифракция быстрых электронов (RHEED) Источник питания: макс. 25кВ, макс. мощность луча 100 мкА
Колебание интенсивности RHEED, система контроля скорости роста Веб-камера, аппаратные средства, ПО
Устройство для сканирования лазерным лучом Двумерное сканирование
Генератор кислородной плазмы и источник питания /
Компьютерная система управления Управление вращением пластины мишени, вращением мишени, вращением образца, контроль температуры образца, сканирования лазерным лучом и т.д.
Квадрупольный масс-спектрометр Диапазон массовых чисел: 1-100
Занимаемое пространство Основная установка 1300*850мм2
Шкаф управления 700*700мм2 (2шт)

Отправьте запрос

Наши специалисты оперативно свяжутся с Вами

Нажимая кнопку "Отправить запрос", я подтверждаю согласие с Политикой конфиденциальности.

Поля, отмеченные *, обязательны для заполнения.