Установка лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE) DXLMBE-450
Применение:
Установка лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE) DXLMBE-450 предназначена для создания тонких пленок: оптических кристаллов, сегнетоэлектриков, ферромагнетиков, сверхпроводников и органических соединений. Она особенно полезна для создания сложных слоистых сверхрешеточных тонких пленок с высокой температурой плавления, многоэлементных и содержащих газообразные элементы. Данная установка нашла широкое применение для научных исследований тонкопленочных материалов и производства небольших партий в университетах и научно-исследовательских институтах.
Основные узлы установки: вакуумные камеры (камера эпитаксии и загрузки образцов), устройство для подачи, подставка для образцов, вращающаяся платформа, вакуумный выхлоп, вакуумметрия, система управления электрооборудованием, компьютерное управление.
Модель | DXLMBE-450 | |
---|---|---|
Основная вакуумная камера | Сферическая, Ø450мм | |
Камера загрузки образцов | Цилиндрическая, горизонтальная, Ø150*300мм | |
Вакуумная система | Основная вакуумная камера | Механический форвакуумный, турбормолекулярный, ионный и геттерный насосы, клапан |
Камера загрузки образцов | Механический форвакуумный и турбормолекулярный насосы, клапан | |
Предельное остаточное давление | Основная вакуумная камера | ≤5*10-8 Па (после прогрева и обезгаживания) |
Камера загрузки образцов | ≤5*10-3 Па (после прогрева и обезгаживания) | |
Время повторной откачки | Основная вакуумная камера | 5*10-3 Па за 20мин |
Камера загрузки образцов | 5*10-3 Па за 20мин | |
Вращающаяся платформа | Макс. размер мишени: Ø70 мм, до 4 шт. единовременно, каждая может вращаться, направление вращения можно менять. Скорость вращения: 5-60 об/мин. | |
Нагревательная пластина подложки | Размер образца | Ø51мм |
Режим вращения | Подложка может непрерывно вращаться со скоростью 5-60 об/мин | |
Нагрев | Макс. температура нагрева подложки: 800°C ± 1°C | |
Воздушный контур | Регулятор расхода, цельнометаллический угловой клапан | |
Опции | Дифракция быстрых электронов (RHEED) | Источник питания: макс. 25кВ, макс. мощность луча 100 мкА |
Колебание интенсивности RHEED, система контроля скорости роста | Веб-камера, аппаратные средства, ПО | |
Устройство для сканирования лазерным лучом | Двумерное сканирование | |
Генератор кислородной плазмы и источник питания | / | |
Компьютерная система управления | Управление вращением пластины мишени, вращением мишени, вращением образца, контроль температуры образца, сканирования лазерным лучом и т.д. | |
Квадрупольный масс-спектрометр | Диапазон массовых чисел: 1-100 | |
Занимаемое пространство | Основная установка | 1300*850мм2 |
Шкаф управления | 700*700мм2 (2шт) |