PVD и ALD установки для нанесения тонких пленок в вакууме

Установка атомно-слоевого осаждения DXALD предназначена, в основном, для получения тонких пленок из диэлектрических материалов, таких как прозрачные проводящие тонкие пленки, Al2O3 и т.д.

Система магнетронного напыления модели DXT-450 применяется для получения современных тонкопленочных материалов, включая наноразмерные монослойные и многослойные пленки, металлические, полупроводниковые, диэлектрические пленки и др. Используется в университетах и научно-исследовательских институтах.

Установка магнетронного напыления DXMS-450C предназначена для получения тонких пленок с нано- и микроструктурами. Таких как металлические, полупроводниковые, диэлектрические, оксидные, нитридные и другие нанопленки.

Система лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии (laserMBE) DXLMBE-450 предназначена для создания тонких пленок: оптических кристаллов, сегнетоэлектриков, ферромагнетиков, сверхпроводников и органических соединений. Применяется для научных исследований тонкопленочных материалов и изготовления небольших партий в университетах и научно-исследовательских институтах.

Электронно-лучевая напылительная установка DXMC-500A чаще всего используется для нанесения покрытий на металлы (особенно тугоплавкие) и некоторые оксидные материалы.

Установка лазерного напыления DXP-300 предназначена для получения сверхпроводящих тонких пленок, полупроводниковых пленок, сегнетоэлектрических пленок и т.д. Применяется для исследований тонкопленочных материалов и выпуска небольших партий в университетах и научно-исследовательских институтах.

Установка лазерного напыления DXP-450B предназначена для получения сверхпроводящих тонких пленок, полупроводниковых пленок, сегнетоэлектрических пленок и т.д. Применяется для исследований тонкопленочных материалов и выпуска небольших партий в университетах и научно-исследовательских институтах.

Однокамерная установка термического напыления DXD-450 предназначена для получения металлических, полупроводниковых, оксидированных, органических и других тонких пленок. Применяется в научных учреждениях для исследования пленок из новых материалов, изучения новых технологий. Также данная модель используется для тестов перед серийным производством.

Установка магнетронного напыления DXJ-1000 применяется для осаждения металлических пленок (Al, Ag, Ni, Cu, Ti, Pd и т.д.) на поверхность кристаллического кремния. Она позволяет непрерывно создавать пленки для фотоэлектрических элементов из кристаллического кремния больших размеров, с различными характеристиками.

Установка лазерного нанесения покрытий DXP-450A предназначена для получения сверхпроводящих, полупроводниковых, сегнетоэлектрических тонких пленок и т.д. Применяется для научных исследований тонкопленочных материалов и изготовления небольших партий в университетах и научно-исследовательских институтах.

Однокамерная магнетронная напылительная установка DXJ-560D используется для получения современных тонкопленочных материалов, включая наноразмерные монослойные и многослойные многофункциональные пленки, металлические , полупроводниковые, диэлектрические пленки и т.д. Применяется для научных исследований тонкопленочных материалов и производства небольших партий в университетах и научно-исследовательских институтах.

Однокамерная установка магнетронного напыления DXJ-450D применяется для получения современных тонкопленочных материалов, включая наноразмерные монослойные и многослойные многофункциональные пленки, металлические, полупроводниковые, диэлектрические пленки и т.д. Применяется для научных исследований и выпуска небольших партий в университетах и научно-исследовательских институтах.

Двухкамерная магнетронная напылительная установка DXJ-560S используется для получения современных тонкопленочных материалов, включая наноразмерные монослойные и многослойные многофункциональные пленки, металлические , полупроводниковые, диэлектрические пленки и т.д. Применяется для научных исследований тонкопленочных материалов и производства небольших партий в университетах и научно-исследовательских институтах.

Установка для нанесения покрытий методом электронно-лучевого испарения DXD-500 применяется для получения электропроводящих, полупроводниковых, сегнетоэлектрических, тонких оптических пленок и т.д. Может применяться для научных исследований и для выпуска небольших партий в университетах и научно-исследовательских институтах.