Установки атомно-слоевого осаждения (ALD)
Производитель: Shanghai Atomic Semiconductor Co., Ltd., Китай (Шанхай)
Двухкамерная установка CCP-ALD с плазменным усилением (Plasma enhanced)
Источник плазмы: CCP. Пластины диаметром до 8" (опционально - 12"). Приведены основные данные. Технические характеристики и комплектация обсуждаются в индивидуальном порядке.
Двухкамерная установка ICP-ALD с плазменным усилением (Plasma enhanced)
Источник плазмы: ICP. Пластины диаметром до 8" (опционально - 12"). Приведены основные параметры. Технические характеристики и комплектация обсуждаются в индивидуальном порядке.
Двухкамерная установка термического ALD
Технические характеристики и комплектация обсуждаются в индивидуальном порядке. Приведена базовая спецификация. Размер подложек: до 8" (опционально - 12").
Однокамерная ALD установка
Данная модель предназначена только для конкретных нужд клиента. Технология, комплектация и характеристики прорабатываются специально под запрос пользователя.
Установка ALD с кассетной загрузкой
Это высокопроизводительная система, позволяющая обрабатывать несколько пластин единовременно (загрузка 25 шт. по 8", опционально - 12"). На сайте представлены основные параметры и диапазоны. Технические характеристики и комплектация обсуждаются в индивидуальном порядке.
Установка пространственного ALD (Spatial ALD, SALD)
Главной особенностью является возвратно-поступательное движение с производительностью 28 000 изделий в час. Разработка конструкции и конфигурации производится в соответствии с ТЗ и потребностями Заказчика.
Производитель: Dexing Magnet Tech. Co., Ltd. (Dexinmag), Китай
Система атомно-слоевого осаждения DXALD
Предназначена, в основном, для получения покрытий из диэлектрических материалов, таких как прозрачные проводящие тонкие пленки, Al2O3 и т.д.
Atomic layer deposition, ALD (атомно - слоевое осаждение, АСО) - это технология получения тонких пленок, основанная на атомном осаждении из газовой фазы. Во время процесса атомно слоевого осаждения поверхность подложки подвергается воздействию газообразных веществ, называемых прекурсорами. Он протекает в реакторе с крышкой (дверцей). Рост пленок осуществляется путем последовательного нанесения слоев: покрытие формируется за счет многократного воздействия отдельных прекурсоров. Каждый прекурсор подается по своей линии и вступает в реакцию с поверхностью (образуется соединение) и осаждается до тех пор, пока все доступные участки на поверхности не перекроются. После этого реакция прекращается. Цикл такой обработки поверхности повторяется до достижения необходимой толщины пленки. Точность системы подачи химических веществ в реактор является важнейшим элементом максимально продуктивного процесса ALD. Варианты прекурсоров (источников): жидкие, твердые, газы, озон. ALD cистемы оснащаются специализированным программным управлением.
Основные преимущества технологических систем ALD по сравнению другими методами нанесения тонких пленок:
- точный контроль состава,
- прецизионный контроль толщины получаемого покрытия,
- обеспечение высокого уровня адгезии осаждаемых пленок,
- процессы могут происходить при низких температурах,
- возможность нанесения тонких пленок на подложки любых форм.
Получение покрытий методом ALD используется в различных областях, для промышленных задач и проведения исследований: производства полупроводниковых приборов, пластин, получения износостойких покрытий, для оптических и многих других приложений. Такие системы востребованы в микроэлектронике и установлены в научных лабораториях. Они нашли широкое применение в наноэлектронике, где требуются ультратонкие пленки с высокой однородностью.
Технология ALD имеет большой потенциал для получения сверхтонких равномерных пленок, позволяя управлять их толщиной и составом на атомарном уровне. Атомно-слоевое осаждение особенно актуально для дальнейшей миниатюризации микроэлектронных устройств. Данный метод позволяет наносить несколько типов тонких пленок, в том числе различных металлов, оксидов (Al2O3, TiO2, SnO2, ZnO, HfO2, SiO2 и др.), сульфидов (ZnS и др.), нитридов металлов (TiN, TaN, WN, NbN и др.).
У нас Вы можете подобрать и купить системы атомно слоевого осаждения ALD по выгодным ценам. Конфигурация может быть разработана под Ваше ТЗ на базе основной технологической платформы. Доступны различные компоненты, опции и инструментарий. Возможна проработка более сложного решения с несколькими рабочими модулями, объединенными в кластер для последовательного осаждения тонких пленок.
Также наша компания предлагает и другое оборудование для нанесения покрытий методами: импульсного лазерного, электронно-лучевого, термического испарения, магнетронного осаждения, MBE с лазером и др. Мы работаем по Москве, СПб и всей России и предлагаем гибкие условия сотрудничества.
Цена предоставляется по запросу. Позвоните или напишите нам.
Мы поможем подобрать оптимальное по характеристикам и цене оборудование под Ваш бюджет.